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型号 IPG20N06S2L-65
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
IPG20N06S2L-65 PDF
代理商 IPG20N06S2L-65
标准包装 5,000
系列 OptiMOS™
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 14µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 410pF @ 25V
功率 - 最大 43W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商设备封装 PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPG20N06S2L65ATMA1
SP000613722
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